sidewall spacer用途
2011年8月5日—侧墙的形成主要有两步:1.在薄膜区利用化学气相淀积设备淀积一层二氧化硅。2.然后利用干法刻蚀工艺刻掉这层二氧化硅。由于所用的各向异性,刻蚀工具使用 ...,,由李明才著作·1991—目的在於避免對準上的困難。側壁間隔是利用反應離子蝕刻的非等向性蝕刻...
側壁間隔技術應用於場效應控制電子遷移元件之研究
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由李明才著作·1991—目的在於避免對準上的困難。側壁間隔是利用反應離子蝕刻的非等向性蝕刻特性而形成,不同的操作參數會有不同的側壁輪廓。改變四氟化碳和氧的比率,找出氮化矽和二氧化矽最高 ...
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